晶體管飽和狀態Uce很低是什麼原因
時間:2019-10-11 15:01 來源:ob体育竞彩
實際情況下,三極管的飽和和放大界限不是像開關那樣有很清晰的界限,而是一種逐步過渡的過程.你說的UCE等於0,這是在理想狀態下的說法.實際上,更多地是使用UCE(SAT)(臨界飽和電壓)來描述飽和和放大的界限,小於這個值就可以認為是飽和(當然還可以使用其他工程估算值).比較常用的是小功率三極管UCE(SAT)=0.7V,大功率一般為2-3V.
當UCE小於這個值時,可以認為三極管開始飽和(注意,飽和是一個過程,有深淺之分,UCE越小,飽和程度越深).
在工程計算時,我們一般不會按照UCE=0來計算(小功率三極管),而是用UCE=0.3V,這樣更貼近實際.
這是由NPN的特性決定的,Uce越小說明管子的飽和特性越好。
典型的應用是電子開關,CE間相當於短路。當晶體管截止時,開關關閉。這時,沒有放大區。
臨界飽和是指管子處於飽和和放大的交界處,對NPN管.VC再大一點 管子放大 ,再小一點 ,管子飽和的特殊狀態.管子飽和跟IB有關,IB越大,UCE就會越低,直至IB大到管子飽和.
計算臨界飽和電流的用意本來是方便我們判斷電路元件參數選擇是否合適,是否會讓管子進入飽和.也就是,保證管子不飽和的上限值.則不難理解計算飽和的電流是取UCES=0.3V(矽).
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