MOS管驅動電路分析
時間:2019-10-19 17:49 來源:ob体育竞彩
MOS管(場效應管)是電壓驅動型器件，隻要驅動電壓滿足要求就可以驅動MOS管導通
MOS管是電壓驅動型元件，在設計MOS管驅動電路時，需要注意所選用MOS的導通維持電壓（Vgs）。如果驅動電壓達不到導通維持電壓（Vgs)，MOS管就不能穩定、可靠的導通。
MOS管驅動電路分析
在設計電子產品的時候，單片機的工作電壓有可能是1.8V、3.3V、5V。因為驅動MOS管並不需要太多的電流，如果單片機IO的驅動電壓合適，可以直接驅動MOS管的。比如所選擇的MOS的VGS最小值為2.5V，單片機的工作電壓為5V，那麼IO直接驅動MOS管是完全沒有問題的
N MOS管:DR為高電平時導通，DR為低電平時斷開
P MOS管:DR為低電平時導通，DR為高電平時斷開
如果單片機IO的驅動電壓不能滿足MOS管的VGS要求，比如MOS管的VGS最小為3~4.5V，而單片的工作電壓為3V，如果直接用IO驅動MOS管，是不可靠的，需要加入三極管驅動。三極管是電流型的驅動器件，隻要給三極管的基極提供驅動電流就可以導通，再通過三極管的集電極給MOS管提供驅動電壓。
N MOS管:DR為低電平時導通，三極管截止，三極管的集電極為高電平，可以驅動MOS導通；DR為高電平時，三極管導通，三極管的集電極為低電平，N MOS管就斷開了。
P MOS管:DR為高電平時導通，三極管導通，三極管的集電極為低電平，可以驅動MOS導通；DR為低電平時，三極管截止，三極管的集電極為高電平，P MOS管就斷開了。
所以MOS的驅動是否加入三極管需要根據實際應用而定！並不能一概而論！
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